晶圓
單管
模塊
芯達(dá)茂開(kāi)展功率器件與驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)模塊專(zhuān)業(yè)技術(shù)知識(shí)培訓(xùn)會(huì)議
為進(jìn)一步提升相關(guān)人員專(zhuān)業(yè)素質(zhì)及企業(yè)經(jīng)營(yíng)質(zhì)量，以達(dá)到“技術(shù)專(zhuān)業(yè)化、成本最小化、效益最大化”，實(shí)現(xiàn)可持續(xù)發(fā)展的目的，12月6日，廈門(mén)芯達(dá)茂微電子組織了功率器件與驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)模塊專(zhuān)業(yè)技術(shù)知識(shí)培訓(xùn)會(huì)議，公司全體AE/FAE/營(yíng)運(yùn)及市場(chǎng)營(yíng)銷(xiāo)人員參加會(huì)議。
此次培訓(xùn)會(huì)議上，芯達(dá)茂研發(fā)副總李邦能從IGBT模塊的介紹及應(yīng)用領(lǐng)域、SiC/GaN模塊的介紹及應(yīng)用領(lǐng)域、IGBT手冊(cè)解讀、柵極驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)、動(dòng)態(tài)特性測(cè)量——雙脈沖測(cè)試等七個(gè)方面闡述了相關(guān)專(zhuān)業(yè)知識(shí)。
本次培訓(xùn)著重對(duì)IGBT芯片的結(jié)構(gòu)、工藝演進(jìn)、工作原理、優(yōu)缺點(diǎn)、實(shí)際應(yīng)用的場(chǎng)景、實(shí)現(xiàn)的效果、以及如何對(duì)比幫助客戶(hù)選擇我們的IGBT器件進(jìn)行了詳細(xì)地分析。
IGBT自20世紀(jì)80年代末開(kāi)始工業(yè)化應(yīng)用以來(lái)發(fā)展迅速，IGBT芯片由MOSFET和BJT構(gòu)成，既有MOSFET的輸入阻抗高、驅(qū)動(dòng)電路簡(jiǎn)單，驅(qū)動(dòng)功率小的優(yōu)點(diǎn)，又有BJT導(dǎo)通電壓低、通態(tài)電流大、損耗小的優(yōu)點(diǎn)，被廣泛應(yīng)用于工業(yè)、汽車(chē)、通信及消費(fèi)電子領(lǐng)域。
培訓(xùn)過(guò)程中，各位同事就一些技術(shù)和推廣上的問(wèn)題進(jìn)行了激烈、廣泛的討論，李邦能副總一一進(jìn)行了耐心地答疑，幫助大家解決工作中遇到的難題。
通過(guò)這次培訓(xùn)，大家對(duì)于功率器件與驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)模塊有了更深刻的理解，也在各研發(fā)、銷(xiāo)售部門(mén)間建立起了一個(gè)橫向的技術(shù)交流的平臺(tái)。通過(guò)加強(qiáng)技術(shù)交流促進(jìn)公司研發(fā)技術(shù)不斷進(jìn)步，也為市場(chǎng)營(yíng)銷(xiāo)的推廣奠定了堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ)，為企業(yè)的高質(zhì)量發(fā)展添翼賦能。
[email protected]
0592-5738967
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為進(jìn)一步提升相關(guān)人員專(zhuān)業(yè)素質(zhì)及企業(yè)經(jīng)營(yíng)質(zhì)量，以達(dá)到“技術(shù)專(zhuān)業(yè)化、成本最小化、效益最大化”，實(shí)現(xiàn)可持續(xù)發(fā)展的目的，12月6日，廈門(mén)芯達(dá)茂微電子組織了功率器件與驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)模塊專(zhuān)業(yè)技術(shù)知識(shí)培訓(xùn)會(huì)議，公司全體AE/FAE/營(yíng)運(yùn)及市場(chǎng)營(yíng)銷(xiāo)人員參加會(huì)議。
此次培訓(xùn)會(huì)議上，芯達(dá)茂研發(fā)副總李邦能從IGBT模塊的介紹及應(yīng)用領(lǐng)域、SiC/GaN模塊的介紹及應(yīng)用領(lǐng)域、IGBT手冊(cè)解讀、柵極驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)、動(dòng)態(tài)特性測(cè)量——雙脈沖測(cè)試等七個(gè)方面闡述了相關(guān)專(zhuān)業(yè)知識(shí)。
本次培訓(xùn)著重對(duì)IGBT芯片的結(jié)構(gòu)、工藝演進(jìn)、工作原理、優(yōu)缺點(diǎn)、實(shí)際應(yīng)用的場(chǎng)景、實(shí)現(xiàn)的效果、以及如何對(duì)比幫助客戶(hù)選擇我們的IGBT器件進(jìn)行了詳細(xì)地分析。
IGBT自20世紀(jì)80年代末開(kāi)始工業(yè)化應(yīng)用以來(lái)發(fā)展迅速，IGBT芯片由MOSFET和BJT構(gòu)成，既有MOSFET的輸入阻抗高、驅(qū)動(dòng)電路簡(jiǎn)單，驅(qū)動(dòng)功率小的優(yōu)點(diǎn)，又有BJT導(dǎo)通電壓低、通態(tài)電流大、損耗小的優(yōu)點(diǎn)，被廣泛應(yīng)用于工業(yè)、汽車(chē)、通信及消費(fèi)電子領(lǐng)域。
培訓(xùn)過(guò)程中，各位同事就一些技術(shù)和推廣上的問(wèn)題進(jìn)行了激烈、廣泛的討論，李邦能副總一一進(jìn)行了耐心地答疑，幫助大家解決工作中遇到的難題。
通過(guò)這次培訓(xùn)，大家對(duì)于功率器件與驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)模塊有了更深刻的理解，也在各研發(fā)、銷(xiāo)售部門(mén)間建立起了一個(gè)橫向的技術(shù)交流的平臺(tái)。通過(guò)加強(qiáng)技術(shù)交流促進(jìn)公司研發(fā)技術(shù)不斷進(jìn)步，也為市場(chǎng)營(yíng)銷(xiāo)的推廣奠定了堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ)，為企業(yè)的高質(zhì)量發(fā)展添翼賦能。